石墨烯薄膜的湿法转移
1、取旋涂了PMMA的铜基底石墨烯一片,裁剪一片1cm*1cm大小的规则形状

2、取10ml铜箔刻蚀液于培养皿,将裁剪好的铜基底石墨烯放于铜箔刻蚀液的上表面

3、刻蚀30分钟后,铜箔刻蚀干净

4、用PET基片将刻蚀完成后的石墨烯+PMMA层转移至去离子水中多次清洗

5、清洗完成后,用氧化硅片捞起PMMA+石墨烯层

6、将转移后的基片放于烘干器烘干,待自然冷却后,放于丙酮里去除PMMA

7、至此石墨烯完成从铜基底至氧化硅基底的转移过程

1、取旋涂了PMMA的铜基底石墨烯一片,裁剪一片1cm*1cm大小的规则形状
2、取10ml铜箔刻蚀液于培养皿,将裁剪好的铜基底石墨烯放于铜箔刻蚀液的上表面
3、刻蚀30分钟后,铜箔刻蚀干净
4、用PET基片将刻蚀完成后的石墨烯+PMMA层转移至去离子水中多次清洗
5、清洗完成后,用氧化硅片捞起PMMA+石墨烯层
6、将转移后的基片放于烘干器烘干,待自然冷却后,放于丙酮里去除PMMA
7、至此石墨烯完成从铜基底至氧化硅基底的转移过程