如何学习ESD设计：[11]半导体CMOS工艺

1、CMOS工艺的开始基于一块硅片，一般P型硅为主。硅片必须进行清洗，去除杂质，以避免对器件和电路性能造成影响。

2、在硅片上做二氧化硅和氮化硅。氮化硅用来做掩蔽层，致密性较好，但如果直接生长在衬底上会带来极大应力，因此需要在硅片上先生长二氧化硅。

3、氮化硅的淀积是用来做P阱的掩膜板的。干法去除掉氮化硅之后，离子注入硼离子，然后加热扩散形成P阱。

4、利用类似的办法做出N阱。

5、生长二氧化硅作为场氧隔离。

6、接下来就是关键的栅氧生长和多晶硅作为栅极。栅尧讹括耐氧质量的好坏决定了MOS管质量。栅的长度称为栅长，是MOS工艺的特征尺寸，一个关键参数。

7、接下来是MOS管的源级和漏极的注入了。先进的CMOS工艺都会有LDD工艺用来降低热电子注入效应。

8、下面就是后端工艺，包括接触孔和金属等等。

9、CMOS工艺有几百道工序，核心层一般十几巡綮碣褂或者几十层。要掌握主要的工艺步骤，知道大致的原理，这对工艺仿真很有裨益，对改善ESD结构和性能也有辅助性帮助。